微观结构：铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间，密度高于 7.31g/cm³，热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上，这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。

热等静压（HIP）工艺：在高温和高压环境下进行烧结，能够显著提高材料的致密度，减少材料中的孔隙，改善材料的微观结构，使得 ITO 靶材具有更高的电导率和机械强度，但该工艺成本较为昂贵。

靶材原料（占比约 60%）：

用于制备 ITO（氧化铟锡）靶材，生产 LCD、OLED 显示面板的透明导电膜（如手机屏幕、电视面板）。

光伏领域：作为 CIGS（铜铟镓硒）薄膜太阳能电池的关键原料，提升光电转换效率。

本公司业务回收范围：

冶炼厂：黄金，白银，铂金，钯金，铑金，银锌电瓶，以及粗铅,贵铅,阳极泥等废料;

矿山厂：铜粉，铅粉，活性炭，载金炭，炭泥，银粉，银泥，金泥，一切炼金，炼银，炼铂，钯铑的废渣废料等。

电镀厂：金盐、银盐、金银废水等废料；

电子厂：半导体蓝膜，半导体镀金硅片、镀银瓷片、压敏电阻、薄膜开关，废冷光片，背光源，废银浆、钯浆、擦银布、擦金布，银浆罐、金浆罐、含钯陶瓷片，含金陶瓷片，含银的陶瓷片、银焊条、银焊丝、银粉、导电银胶，镀金，镀银，镀铑镀铂等废料。

首饰厂：抛光打磨粉，地毯，洗手池等废料；

印刷厂：印刷废菲林、X光片、定影水；

化工石油厂：钯，铂，铑，钌催化剂等。