铟靶是指以铟为主要成分的溅射靶材，是一种在材料表面镀膜过程中用于提供铟源的材料。在真空溅射镀膜工艺中，铟靶材在高能粒子的轰击下，铟原子被溅射出来并沉积在基底材料表面，形成所需的铟薄膜。

热等静压（HIP）工艺：在高温和高压环境下进行烧结，能够显著提高材料的致密度，减少材料中的孔隙，改善材料的微观结构，使得 ITO 靶材具有更高的电导率和机械强度，但该工艺成本较为昂贵。

光伏技术领域：在太阳能电池中，ITO 薄膜作为前电极材料，具有高透明性，能够保证光线有效进入吸收层，从而提升光电转换效率，适用于 CIGS、CdTe 等薄膜太阳能电池技术。

其他领域：在智能窗、透明发热膜、红外反射膜等领域也有应用，满足智能建筑和汽车工业中的透明导电需求。

物理化学性能

物理性质：

密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。

导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。

化学性质：

常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。