微观结构：铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间，密度高于 7.31g/cm³，热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上，这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。

超高密度成型：超高密度成型工艺（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向，提升溅射薄膜的质量和性能，满足高端应用领域的需求。

良好的导电性：ITO 薄膜的电阻率可达 10⁻⁴Ω・cm，具有较低的电阻和较高的载流子浓度，能够有效地传输电流，满足各种电子设备的导电需求。

光伏技术领域：在太阳能电池中，ITO 薄膜作为前电极材料，具有高透明性，能够保证光线有效进入吸收层，从而提升光电转换效率，适用于 CIGS、CdTe 等薄膜太阳能电池技术。

其他领域：在智能窗、透明发热膜、红外反射膜等领域也有应用，满足智能建筑和汽车工业中的透明导电需求。