优异的光学性能：在可见光波段（380-780nm）内，ITO 薄膜的透光率通常能够达到 80% 以上，高透光率确保了其在显示器、太阳能电池等应用中的良好表现。

粉末冶金法：将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合，随后进行预烧结，以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相对低温下进行，目的是通过部分熔融促进粉末颗粒的结合，同时防止过早的晶粒长大。粉体粒径分布的控制是该方法中的关键一环。

纯度分级：

4N 精铟：纯度≥99.99%，主要用于普通电子元器件及靶材原料。

5N-6N 精铟：纯度≥99.999%-99.9999%，用于高端半导体、光电材料等领域。

物理化学性能

物理性质：

密度：7.31 g/cm³，熔点 156.6℃，沸点 2080℃，常温下可弯曲而不碎裂。

导电性：电导率约 1.1×10⁷ S/m，仅次于银、铜，适用于高频电子元件。

化学性质：

常温下在空气中稳定，加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃；可溶于强酸（如盐酸、硫酸），但在碱中稳定性较高。