半导体领域：占比 28%，用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积，在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升，如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。

超高密度成型：超高密度成型工艺（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向，提升溅射薄膜的质量和性能，满足高端应用领域的需求。

粉末冶金法：将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合，随后进行预烧结，以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相对低温下进行，目的是通过部分熔融促进粉末颗粒的结合，同时防止过早的晶粒长大。粉体粒径分布的控制是该方法中的关键一环。

显示技术领域：广泛应用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板显示器件中作为透明电极，确保显示设备既能透光显示图像，又能导电传输信号。