集成电路（IC）制造 用途：作为金属互连层或接触电极材料，用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。 优势：铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜，满足纳米级制程对材料精度的要求。
航空航天与国防科技 1. 红外探测与成像 用途：在红外焦平面阵列（IRFPA）中作为芯片互连材料（如铟柱倒装焊），实现探测器芯片与读出电路的高密度连接。 场景：军用夜视仪、卫星遥感设备、热成像仪等。 2. 高温真空器件 应用：在航空航天用真空电子器件（如行波管、磁控管）中作为密封材料或电极镀膜，利用铟的低蒸气压和抗腐蚀特性。
溅射气体控制 气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。 气压调节： 直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。 射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。
防护措施 个人防护：操作时佩戴防静电手套、护目镜，避免直接接触铟靶（铟金属，但粉尘吸入可能刺激呼吸道，需在通风良好环境下操作）。 防火防爆：铟粉或碎屑属于可燃固体（引燃温度约 200℃），需远离明火，废弃靶材及碎屑应收集于专用容器中，按危险废弃物处理。 电磁屏蔽：射频溅射时需确保设备接地良好，防止电磁辐射对操作人员或周边仪器的干扰。